非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，系先于一基底中形成一半导体元件，半导体元件的顶部系高于基底的表面。之后，于基底上形成第一介电层，覆盖半导体元件与基底。接着，移除部分第一介电层，以至少保留位于半导体元件侧壁，且位于部分基底上之部分第一介电层。继之，于基底上方依序形成第二介电层与导体层，于半导体元件的侧壁之导体层上形成对应之罩幕间隙壁，之后再以罩幕间隙壁为蚀刻罩幕，移除部分导体层直到曝露出第二介电层的表面。