具高散热之合成结构

摘要

本发明揭露出一种应用于光学、光电或电子的合成结构，其系包含一支撑晶圆(20)、由单晶材料中选出之材料制造的一层以及由介电材料(13)制造的一层，其特征为选择制造支撑晶圆(20)的材料、单晶材料制造的层(11)与介电层(13)，并调整每一层的厚度，以致于合成结构(40)的热阻抗室在室温与600°K之间小于或等于与该合成结构相同尺寸的单晶块状碳化矽晶圆之热阻抗的大约1.3倍。本发明亦同样地关于一种制造合成结构(40)的制程。