| 发明名称 | 一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构 | ||
| 摘要 | 本发明为一种垂直型N沟道金属—氧化物—半导体大功率场效应晶体管单元结构。采用N型硅外延片上刻蚀沟槽的方法，使场效应晶体管的栅氧层和金属钨栅电极位于硅外延层的沟槽之中，金属钨栅与硅片表面垂直，场效应晶体管导通工作状态下，电流流动的方向是从硅片底部的漏电极出发，流经反型沟道区，最终到达源电极，电流流动的方向是与硅片的表面方向垂直。 | ||
| 申请公布号 | CN1277316C | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN03116934.1 | 申请日期 | 2003.05.15 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 | 发明人 | 徐小诚;缪炳有;陈志伟;汪激扬 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陶金龙;陆飞 |
| 主权项 | 1、一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构，其特征在于外延层由两层电阻率不同的N型薄层构成，其中电阻率低的第一外延层与硅衬底相邻，第二层外延层上刻蚀有沟槽，金属钨栅电极置于第二层外延层的沟槽之中；金属钨栅电极和沟槽之间存在栅氧化层；金属钨栅电极与硅片表面垂直，电流的方向从下向上，与硅片的表面方向垂直。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室 | ||