半导体装置与形成栅极间隔物的方法

摘要

本发明是关于一种半导体装置与形成栅极间隔物的方法。该方法包括下列步骤：形成一栅极结构，该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上；形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上；形成一栅极间隔物材料层于该衬层上；定义该栅极间隔物材料层，以形成该些间隔物；形成一保护层于部分的该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上；部分移除该保护层，露出该衬层、该栅极结构与该些栅极间隔物的一顶部；施行一第一湿蚀刻制程，大体移除该衬层的露出部；移除该保护层；以及施行一第二湿蚀刻制程，大体移除该衬层的一底部与一顶部。本发明采用保护层保护衬层免于受到湿蚀刻制程的蚀刻。

主权项

1.一种形成栅极间隔物的方法，其特征在于，该形成栅极间隔物的方法包括下列步骤：形成一栅极结构，该栅极结构覆盖于一半导体基底的一栅绝缘层上；形成一衬层于该半导体基底、该栅绝缘层与该栅极结构的露出部上；形成一栅极间隔物材料层于该衬层上；定义该栅极间隔物材料层，以形成该间隔物；形成一保护层于部分的该衬层、该栅极结构以及该栅极间隔物上；部分移除该保护层，露出该衬层、该栅极结构与该栅极间隔物的一顶部；施行一第一湿蚀刻制程，移除该衬层的露出部；移除该保护层；以及施行一第二湿蚀刻制程，移除该衬层的一底部与一顶部。