| 发明名称 | 干蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 使用CF<SUB>4</SUB>+O<SUB>2</SUB>气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜104进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1277293C | 申请公布日期 | 2006.09.27 |
| 申请号 | CN02813794.9 | 申请日期 | 2002.07.05 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 清水昭贵;鹤田敬;榎本隆;冈广实;高明辉 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种干蚀刻方法，通过形成预定图案的掩模层，对有机类防反射膜进行蚀刻，其特征在于，通过使用含有CF4气和O2气的蚀刻气体的等离子体蚀刻，在对所述有机类防反射膜进行蚀刻的同时，对所述掩模层以及所述有机类防反射膜横方向蚀刻，并进行线宽的微调。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||