原版、曝光方法和原版的制造方法

摘要

提供在半导体器件制造工序中可以大幅度地缩短光学系统的修正所需要的时间的原版。该原版具备：掩模基板(1)，配置在掩模基板(1)上的遮光膜(17)，设置在遮光膜(17)上的检查图形用开口(56a、56b、56c)和器件图形用开口(57)，具备在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出来的掩模基板(1)上分别设置的非对称衍射光栅(222a、222b、222c)中的每一者的检查图形(20a、20b、20c)，在检查图形用开口(56a、56b、56c)中露出来的掩模基板(1)上分别与检查图形(20a、20b、20c)相邻地设置的对准标记(26a、26b、26c)，在器件图形用开口(57)中露出来的掩模基板(1)上设置的器件图形(15a、15b、15c)。

主权项

1.一种原版，其具有掩模基板、在上述掩模基板上分别设置的，用于在半导体基板上描画半导体器件图形的器件图形和用于获得调整投影打印装置的光学信息的第1检查图形，该第1检查图形包括：在上述掩模基板上设置的产生衍射效率不同的正一次衍射光和负一次衍射光的第1非对称衍射光栅，该第1非对称衍射光栅包括：由半透射性材料构成、在上述掩模基板上周期性地平行配置的多个第1检查用移相膜，每一个第1检查用移相膜由第1台阶构成，该第1台阶的轮廓由以下部分构成：与上述掩模基板相接，沿上述第1台阶的纵长方向延伸的带状的第1入射面；与该第1入射面相对，从平面图形看，偏于上述第1台阶的2条长边中的一条长边侧，沿上述第1台阶的纵长方向延伸的带状的第1出射面；与上述第1入射面相对，与上述第1出射面具有台阶差地相邻，具有比上述第1出射面高的水平高度，沿上述第1台阶的纵长方向延伸的带状的第1遮光面，在上述第1遮光面上分别配置有多条第1遮光带；以及用于在上述半导体基板上投影基准图形的像的图形，其中该基准图形的像用于测量与上述非对称衍射光栅在半导体基板上的投影像的相对距离。