| 主权项 |
1.一种矽晶微麦克风之制作方法,其包含有下列步骤:(a)提供一矽基板,且该矽基板之顶、底面分别有一介电层,随后于该矽基板之顶面沉积多晶矽材料,并掺杂硼或磷离子之后进行回火以形成一振动膜,再将该振动膜进行微影蚀刻以得到所设计之图形;(b)于该振动膜上沈积形成一牺牲层;(c)沉积一绝缘层于该牺牲层上;(d)在该绝缘层上方沉积多晶矽材料,掺杂硼或磷离子之后进行回火以形成一背板,而后微影蚀刻出所需的图形;(e)沉积一保护层于该背板,再微影蚀刻出一接触窗;(f)溅镀或蒸镀二导电焊垫于该接触窗之位置,且分别于该背板、该振动膜电性连接;(g)蚀刻该保护层、该背板与该绝缘层,进而形成复数个音孔;(h)去除该矽基板底面部分之介电层,再蚀刻该矽基板,之后将该矽基材顶面之介电层去除而形成一共振室;以及(i)去除该牺牲层。2.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该矽基板之介电层系由二氧化矽或氮化矽所组成。3.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该振动膜之厚度约0.1-4.0m。4.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该牺牲层系为低温氧化物或磷矽玻璃材质。5.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该牺牲层之厚度约0.5-5.0m。6.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该绝缘层系为一氮化矽材料。7.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该绝缘层厚度约0.1-2.0m。8.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该背板厚度约1.0~6.0m。9.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该保护层系为一氮化矽材料。10.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该焊垫之材质系选自铝、金、铬、铂、钛、镍、铜、银等材料所构成之群组。11.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其中:该焊垫之厚度约0.1~1.5m。12.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,其沈积技术系采用低压化学气相沉积或电浆辅助化学气相沉积法。13.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,该共振室之蚀刻系采用非等向性化学湿式蚀刻或诱导式耦合电浆乾式蚀刻技术。14.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,该牺牲层之蚀刻技术系采用化学湿式蚀刻技术,所使用之化学蚀刻液包含氢氟酸,缓冲式氧化物蚀刻液。15.依据申请专利范围第14项所述矽晶微麦克风之制作方法,化学湿式蚀刻后所配合之乾燥制程系利用有机物乾燥技术。16.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制作方法,该牺牲层之蚀刻技术系采用氢氟酸蒸气蚀刻或等向性反应式离子乾式蚀刻等乾式蚀刻技术。图式简单说明:第一图系一习知微麦克风之示意图。第二图系另一习知微麦克风之示意图。第三图系又一习知微麦克风之示意图。第四图系本发明矽晶微麦克风之制作流程图。第五图系本发明矽晶微麦克风一实施例之示意图。第六图系本发明矽晶微麦克风另一实施例之示意图。 |
