| 主权项 |
1.一种用以感应耦合射频功率制程操作之装置,其包含:一处理室;一射频功率源;及一射频功率感应线圈,该线圈大致具有数个非共平面线圈匝,其中一个或一个以上的线圈匝包含一具有大表面积之导电片,该线圈连接该射频功率源以便接收射频功率,该大表面积大致与由流经该线圈之射频电流所引起之磁力线垂直排列,该线圈被设置以便于制程操作时耦合射频功率至该处理室。2.依申请专利范围第1项之装置,其中该一个以上的线圈匝包含多层线圈匝。3.依申请专利范围第2项之装置,其中至少部分之多层线圈匝系垂直于该磁力线。4.依申请专利范围第1项之装置,其中该线圈系位于处理室之外部且该处理室包含易被射频功率穿透之材料。5.依申请专利范围第1项之装置,其中该导电片包含一沉积层。6.依申请专利范围第1项之装置,更包含一基板,该导电片至少部分被该基板支持。7.依申请专利范围第1项之装置,更包含一绝缘片夹于至少两个线圈匝之间。8.依申请专利范围第7项之装置,其中该线圈包含大约四个线圈匝且该线圈之厚度约少于0.5英寸(约12.7毫米)。9.依申请专利范围第7项之装置,其中该线圈之厚度约少于0.25英寸(约6.3毫米)。10.依申请专利范围第1项之装置,其中该线圈之内径与外径具有1:3之比例。11.依申请专利范围第6项之装置,其中该基板包含一印刷电路板且该线圈匝包含一导体的沉基层。12.依申请专利范围第1项之装置,其中该处理室包含一可接受气体用以产生电浆之电浆室。13.依申请专利范围第1项之装置,其中该处理室可以接受一用于电浆制程之半导体晶圆。14.依申请专利范围第1项之装置,其中该处理室包含一真空电浆制程室,该室可以承受用于半导体元件制造过程之一非热性电浆。15.依申请专利范围第1项之装置,其中该处理室包含一真空电浆制程室,该室可以承受用于半导体元件制程之一非热性电浆,该半导体元件制造过程系选自由蚀刻,沉积,表面清洁,掺杂,氧化,乾燥,去光阻,反应室清洁及回火等制程组成之族群。16.依申请专利范围第1项之装置,其中该处理室可以接受该射频功率用以产生用于射频功率感应热制程之热。17.一种用以感应耦合射频功率装置,其包含:一射频功率源;及一射频功率感应线圈,该线圈具有复数个线圈匝,该线圈匝包含一导电片,而该线圈大致呈螺旋型,且该导电片之表面大致与线圈轴垂直,而该线圈与射频功率源连接以便接收射频功率。18.一种用以感应耦合射频功率装置,其包含:一射频功率源;一固体绝缘物;及一射频功率感应线圈,该线圈具有约4个线圈匝,该线圈匝包含一导电片以便具有大的表面积,因而该线圈匝外径与其厚度之比例系大于或等于6:0.04,该绝缘物被夹于线圈匝之间,且该线圈具有第一边与相对于第一边之第二边,该线圈之第一边连接该射频功率源以便接收射频功率,该线圈之第二边可以连接至接地面,且该线圈之厚度系小于约0.25英寸(约6.3毫米)。19.一种用以从一射频功率源传送射频功率之射频感应线圈,其包含:一复数个线圈匝,该线圈匝包含一导电片,该线圈匝具有一内径与一外径,该线圈匝大致系非共平面,而该导电片之表面大致非平行于该线圈轴。20.依申请专利范围第19项之射频感应线圈,其中该导电片之表面大致与该线圈轴垂直。21.依申请专利范围第19项之射频感应线圈,其中该导电片与该线圈轴界定一介于0至180度之角度。22.一种制造射频感应线圈之方法,该方法包含:提供一基板;沉积一导电层于该基板上;界定一图案于导电层上并形成一线圈匝;沉积一绝缘层于导电层之上;沉积再一导电层于该绝缘层之上;界定一图案于再一导电层上并再形成一线圈匝大致与先前之线圈匝同中心;及电性连接该线圈匝。23.一种感应耦合射频功率之方法,该方法包含:提供一射频功率源;及应用从射频功率源之射频功率至一射频功率感应线圈该射频功率感应线圈具有复数个线圈匝,该线圈匝包含一导电片,该线圈大致呈螺旋型,且该导电片之表面大致与线圈轴垂直。24.一种用以感应耦合射频功率制程操作之装置,其包含:一处理室;一射频功率源;及一射频功率感应线圈,该线圈大致具有数个非共平面线圈匝,其中仅一个线圈匝包含一具有大表面积之导电片,该线圈连接该射频功率源以便接收射频功率,该大表面积大致与由流经该线圈之射频电流所引起之磁力线垂直排列该线圈被设置以便于制程操作时耦合射频功率至该处理室。图式简单说明:第1图:其系根据本发明一实施例之一单线圈匝的上视图。第2图:其系根据本发明一实施例之一多层线圈匝的上视图。第3图:其系根据本发明一实施例之一多层线圈匝的侧视图。第4图:其系一多匝线圈的侧视图。第5图:其系根据本发明一实施例,显示其对于线圈与电浆室之示范性排列图。第6图:其系根据本发明一实施例,显示其用于射频感应加热一线圈与接收器一示范性排列图。第7图:其系根据本发明一实施例,一用于射频功率感应之装置图。第8图:其系根据本发明一实施例一多匝线圈的侧视图。第9图:其系根据本发明一实施例的侧视图。第10图:其系根据本发明一实施例的侧视图。第11图:其系一多匝线圈之透视图。 |
