| 主权项 |
1.一种有机电激发光二极体的控制电路的制造方法,至少包含下列步骤:提供一绝缘基材;形成一第一闸极、一电容的下电极以及一第二闸极于该绝缘基材之上;形成一第一闸介电层及一第一通道区于至少部分该第一闸极之上及一第二闸介电层及一第二通道区于至少部分该第二闸极之上;形成一蚀刻终止层覆盖于该绝缘基材之上;图案化该蚀刻终止层,以暴露出该第一通道区及该第二通道区之部分上表面以适用于形成源/汲极接触和暴露出该第二闸极的部分上表面;依序形成一掺杂半导体层以及一导体层覆盖于该绝缘基材之上;以及图案化该导体层以及该掺杂半导体层,以形成源/汲极于该第一通道区及该第二通道区之上、形成一连接线以电性连接该第一通道区上之汲极与该第二闸极、和形成该电容之上电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,更包含于形成该蚀刻终止层之前,形成一电容堆叠层于该电容的下电极之上。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该电容堆叠层至少包含一堆叠介电层。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该电容堆叠层更包含一堆叠半导体层,该堆叠半导体层系位于该堆叠介电层之上。5.一种有机电激发光二极体的控制电路,至少包含:一第一薄膜电晶体,该第一薄膜电晶体之闸极电性连接一扫瞄线,该第一薄膜电晶体之第一源/汲极电性连接一资料线;一第二薄膜电晶体,该第二薄膜电晶体之闸极电性连结该第一薄膜电晶体之第二源/汲极,该第二薄膜电晶体之第三源/汲极电性连接一工作电压,该第二薄膜电晶体之第四源/汲极电性连接一有机电激发光二极体;以及一电容,一端电性连接一参考电压,另端电性连接该第二薄膜电晶体之闸极,其中,该电容之介电层的材料异于该第一薄膜电晶体及该第二薄膜电晶体其中之一之闸介电层的材料。6.如申请专利范围第5项所述之控制电路,其中该电容更具有一电容堆叠层,该电容堆叠层系介于该电容之下电极与介电层之间。7.如申请专利范围第6项所述之控制电路,其中该电容堆叠层至少包含一堆叠介电层,该堆叠介电层系位于该电容之下电极上。8.如申请专利范围第7项所述之控制电路,其中该堆叠介电层的材料系与该第一薄膜电晶体及该第二薄膜电晶体之闸介电层的材料相同。9.如申请专利范围第7项所述之控制电路,其中该堆叠介电层的厚度系与该第一薄膜电晶体及该第二薄膜电晶体之闸介电层的厚度相同。10.如申请专利范围第7项所述之控制电路,其中该电容堆叠层更包含一堆叠半导体层,该堆叠半导体层系位于该堆叠介电层上。11.如申请专利范围第10项所述之控制电路,其中该堆叠半导体层的材料与该第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体之通道区的材料相同。12.如申请专利范围第10项所述之控制电路,其中该堆叠半导体层的厚度与该第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体之通道区的厚度相同。13.一种有机电激发光二极体的控制电路,至少包含:一第一薄膜电晶体,该第一薄膜电晶体之闸极电性连接一扫瞄线,该第一薄膜电晶体之第一源/汲极电性连接一资料线;一第二薄膜电晶体,该第二薄膜电晶体之闸极电性连结该第一薄膜电晶体之第二源/汲极,该第二薄膜电晶体之第三源/汲极电性连接一工作电压,该第二薄膜电晶体之第四源/汲极电性连接一有机电激发光二极体;以及一电容,一端电性连接一参考电压,另端电性连接该第二薄膜电晶体之闸极,其中,该电容之介电层的厚度异于该第一薄膜电晶体及该第二薄膜电晶体其中之一之闸介电层的厚度。14.如申请专利范围第13项所述之控制电路,其中该电容更包含一电容堆叠层,该电容堆叠层系介于该电容之下电极与介电层之间。15.如申请专利范围第14项所述之控制电路,其中该电容堆叠层至少包含一堆叠介电层,该堆叠介电层系位于该下电极上。16.如申请专利范围第15项所述之控制电路,其中该堆叠介电层的材料系与该第一薄膜电晶体及该第二薄膜电晶体之闸介电层的材料相同。17.如申请专利范围第15项所述之控制电路,其中该堆叠介电层的厚度系与该第一薄膜电晶体及该第二薄膜电晶体之闸介电层的厚度相同。18.如申请专利范围第15项所述之控制电路,其中该电容堆叠层更包含一堆叠半导体层,该堆叠半导体层系位于该堆叠介电层上。19.如申请专利范围第18项所述之控制电路,其中该堆叠半导体层的材料与该第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体之通道区的材料相同。20.如申请专利范围第18项所述之控制电路,其中该堆叠半导体层的厚度与该第一薄膜电晶体与该第二薄膜电晶体之通道区的厚度相同。图式简单说明:第1A-1E图系绘示传统有机电激发光二极体之控制电路的制造流程剖面图。第2A-2D图系绘示依照本发明一较佳实施例之有机电激发光二极体之控制电路的一种制造流程剖面图。第3A-3D图系绘示依照本发明一较佳实施例之有机电激发光二极体之控制电路的一种制造流程剖面图。第4A-4D图系绘示依照本发明一较佳实施例之有机电激发光二极体之控制电路的一种制造流程剖面图。 |
