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经营范围
发明名称
METHOD AND PROCESS TO MAKE MULTIPLE-THRESHOLD METAL GATES CMOS TECHNOLOGY
摘要
申请公布号
KR100625057(B1)
申请公布日期
2006.09.20
申请号
KR20030080970
申请日期
2003.11.17
申请人
发明人
分类号
H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/84
主分类号
H01L27/092
代理机构
代理人
主权项
地址
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