一种厚膜光刻胶清洗液

摘要

本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾(b)溶剂(c)醇胺(d)有机酚(e)苯并三氮唑及其衍生物(f)聚羧酸类缓蚀剂。该光刻胶清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于铜、铝、锡、铅、银等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

主权项

一种厚膜光刻胶清洗液，含有：氢氧化钾、溶剂、醇胺、有机酚、苯并三氮唑及其衍生物和聚羧酸类缓蚀剂。