发明名称 有源像素传感器
摘要 一种有源像素传感器,其晶体管的栅极避开绝缘区交界处而设置,因此在栅极下方的空乏区不会直接与绝缘区接触,可避免因绝缘区损坏而引起漏遗电流,其包括:绝缘区;感光二极管,设置于该半导体基底中,其中该感光二极管具有一第一掺杂区;护环,环状包围该第一掺杂区并具有一缺口,且该护环设置于该第一掺杂区外围的该绝缘区交界处;第一晶体管,其具有一第一栅极,电连接于该第一掺杂区;以及第二晶体管,该第二晶体管与该第一晶体管具有一共享漏极,且该第一掺杂区电连接于该第二晶体管的源极,该第二晶体管具有一第二栅极设置于该缺口处的该半导体基底上,且该第二栅极不与该绝缘区交界重叠。
申请公布号 CN1835244A 申请公布日期 2006.09.20
申请号 CN200510055132.5 申请日期 2005.03.17
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 施俊吉;陈俊伯;王铭义
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L29/78(2006.01);H04N5/335(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种有源像素感测单元(active pixel sensor cell,APS cell),其包括:一绝缘区,设于一半导体基底中,环绕该有源像素感测单元设置并隔离该有源像素感测单元,其中该绝缘区与该有源像素感测单元的其它元件具有一绝缘区交界;一感光二极管,设置于该半导体基底中,其中该感光二极管具有一第一掺杂区;一护环,环状包围该第一掺杂区并具有一缺口,且该护环设置于该第一掺杂区外围的该绝缘区交界处;一第一晶体管,其具有一第一栅极,电连接于该第一掺杂区;以及一第二晶体管,该第二晶体管与该第一晶体管具有一共享漏极,且该第一掺杂区电连接于该第二晶体管的源极,该第二晶体管具有一第二栅极设置于该缺口处的该半导体基底上,且该第二栅极不与该绝缘区交界重叠。
地址 台湾省新竹科学工业园区