| 发明名称 | 磁阻元件、磁头及磁存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层。该磁阻元件包括：第一界面磁层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间。第一界面层和第二界面层包括主要为CoNiFe的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1835084A | 申请公布日期 | 2006.09.20 |
| 申请号 | CN200510083660.1 | 申请日期 | 2005.07.12 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 大岛弘敬;长坂惠一;城后新;清水丰;田中厚志 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01);G01R33/09(2006.01);H01L43/08(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种具有CPP型结构的磁阻元件，包括固定磁化层、第一非磁层、自由磁化层和第二非磁层，该磁阻元件包括：第一界面层，位于该自由磁化层与该第一非磁层之间；以及第二界面层，位于该自由磁化层与该第二非磁层之间；其中，该第一界面层和该第二界面层均包括主要为CoNiFe的材料。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||