基板处理方法及半导体装置之制造方法

摘要

本发明为一种基板处理方法，系要对具有与该被处理基板上的其他部位接续之被接续部、已经被形成在该被接续部上之被蚀刻层、和已经被图案形成在该被蚀刻层上的罩幕层之被处理基板，进行之基板处理方法，其特征为，具备：蚀刻工程，经由前述罩幕层，蚀刻前述被蚀刻层，而形成对应前述罩幕层的图案之凹部，藉由该凹部使前述被接续层露出；和电浆处理工程，使用含有氢、氮或氧之中的至少一种以上的气体之电浆，除去前述罩幕层，同时除去被混入前述被接续部中之不纯物。