侧壁主动接脚记忆体及其制造方法

摘要

一种形成具有复合层之记忆单元之方法系被提出。此复合层具有一第一电极、覆盖此第一电极之一绝缘层与此覆盖此绝缘层之一第二电极。形成一侧壁空间，此侧壁空间包括一个具有第一电极与第二电极之可程式化阻抗材料。藉由沈积覆盖在复合层侧壁上之可程式化阻抗材料层、非等向性地蚀刻此可程式化阻抗材料层以除去隔开此侧壁之部份与选择性地根据此侧壁空间大小所定义出来之图案蚀刻此可程式化阻抗材料层，此大小在实施例中约小于等于为40奈米。