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发明名称
制造奈米结构之pn接合发光二极体的方法和以此方法所得的二极体METHOD FOR PRODUCING A NANOSTRUCTURED PN JUNCTION LIGHT-EMITTING DIODE AND DIODE OBTAINED BY SUCH A METHOD
摘要
奈米结构的pn接合发光二极体是由第一掺杂物所掺杂并且由介电薄层(2)所覆盖的半导体基板(1)所制造。由类型与第一掺杂物相反之第二掺杂物所掺杂的半导体材料所形成的非晶质薄膜(3)然后 积于介电薄层(2)的表面上。此组合接着经历热处理,此热处理设计用来在介电薄层(2)中由非晶质薄膜(3)形成多个奈米尺寸的点(5),该等点(5)是由第二掺杂物所掺杂的半导体材料所构成。点(5)设计成与基板(1)成磊晶关系,以形成多个奈米尺寸的pn接合。然后由点(5)磊晶成长而形成额外薄层(6)。
申请公布号
TW200633277
申请公布日期
2006.09.16
申请号
TW095106238
申请日期
2006.02.24
申请人
原子能委员会
发明人
皮耶 诺伊;费德利克 纳森
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
法国
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