发明名称 互补金氧半-微机电系统的制程
摘要 一种与互补金氧半完全相容的微机电系统多计划晶片的制程,包括在一晶片表面上涂布一层厚光阻,图案化该光阻以定义一微加工区域,以及在该微加工区域中进行一微加工以形成悬浮微结构。
申请公布号 TW200633075 申请公布日期 2006.09.16
申请号 TW094139507 申请日期 2005.11.10
申请人 财产法人国家实验研究院国家晶片系统设计中心 发明人 萧富元;庄英宗;邱进峰
分类号 H01L21/336;H01L21/30;B81B7/02 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 黄重智
主权项
地址 新竹市科学工业园区展业一路26号7楼