用以制造具有高k闸极介电层及金属闸极电极之半导体装置的方法A METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND A METAL GATE ELECTRODE

摘要

本发明系揭示一种制造半导体装置之方法。此方法包含形成第一介电层于基板上，形成沟槽于该第一介电层内，以及形成第二介电层于基板上。第二介电层具有形成于沟槽中之第一部分以及第二部分。于具有第一工作函数之第一金属层形成于第二介电层之第一以及第二部分上之后，第一金属层之一部分转换成具有第二工作函数之第二金属层。