| 摘要 |
知在一MOSFET之制造中提供一再氧化步骤系用于若干与该MOSFET相关之结构目的。然而，提供MOSFETs闸极绝缘层所用之高介电常数材料以适应于一用于小型积体电路之驱动器的必要性将导致该闸极绝缘层与一基板之间之一SiO2介面层的过度生长。该SiO2层之过度生长造成一有效氧化物厚度(EOT)，将导致该MOSFET的漏电流增加。再者，在处理期间以金属替换聚矽作为电极将防止氧的曝露。因此，本发明提供替换或在该再氧化步骤之前，利用一氧障蔽层(40) 积在该MOSFET之闸极(32)之至少侧壁(34)上，藉此提供一障蔽以供氧扩散至该介电性介面与金属闸极，其可避免EOT增加且保存金属闸极的整体性。 |
