CMP研磨方法、CMP研磨装置、具有STI构造积层基板之制造方法、以及半导体元件之制造方法

摘要

如图1(a)所示般，对晶圆(于Si基板1上形成热氧化膜2，进而于热氧化膜2上形成SiN层3，以将Si基板1、热氧化膜2上所形成之沟槽加以填充并被覆SiN层3的方式形成SiO2层5)进行CMP研磨，形成如图1(b)所示般之具有STI构造之积层基板。在CMP研磨之初期阶段，使用二氧化铈浆料作为浆料进行研磨，在SiN层3之表面局部露出之阶段，将浆料更换为二氧化矽浆料，持续进行CMP研磨。其结果，可将SiO26之凹陷减小。