| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen und/oder optischen Bauelements. DOLLAR A Um zu erreichen, dass eine besonders gute Qualität des Bauelements erreicht wird und insbesondere Kristallversetzungen in den Materialschichten des Bauelements zuverlässig vermieden werden, ist erfindungsgemäß ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelements (70, 300, 405) vorgsehen, bei dem in ein Substrat (10) zumindest ein Graben (30) geätzt wird, der Graben mit mindestens einer Halbleiterschicht (50) lateral derart überwachsen wird, dass der Graben durch die Halbleiterschicht unter Bildung eines gasgefüllten, insbesondere luftgefüllten Hohlraums (60) vollständig abgedeckt wird und das Bauelement in der Halbleiterschicht oder in einer auf der Halbleiterschicht aufgebrachten weiteren Halbleiterschicht integriert wird, wobei der aktive Bereich des Bauelements oberhalb des Hohlraumes angeordnet wird.
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