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发明名称 Metallisierungsverfahren für Halbleiter
摘要
申请公布号 DE69930027(T2) 申请公布日期 2006.09.14
申请号 DE1999630027T 申请日期 1999.05.31
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 PARK, YOUNG-JIN
分类号 H01L21/28;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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