| 发明名称 | 制造闪存装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用以制造闪存装置的方法，其包含：在半导体基板上连续层叠隧道氧化膜、第一导电膜、介电膜、第二导电膜及金属硅化物膜；及图案化该金属硅化物膜、第二导电膜、介电膜、第一导电膜及隧道氧化膜以形成叠层栅电极；在具有该叠层栅电极之整个所得到的表面上执行自由基氧化过程，由此维持在执行该自由基氧化过程之前的叠层栅电极分布，同时在该叠层栅电极的侧壁上形成侧壁氧化膜；及在其上执行自由基氧化过程的整个所得得到的表面上执行氢气氛的热处理过程。 | ||
| 申请公布号 | CN1832146A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200510082588.0 | 申请日期 | 2005.07.11 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李承撤;宋弼根 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造具有叠层栅电极的闪存装置的方法，所述方法包括：在包含所述叠层栅电极的整个表面上执行自由基氧化过程，由此维持在执行所述自由基氧化过程之前的叠层栅电极的分布，同时在所述叠层栅电极的侧壁上形成侧壁氧化物膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||