| 发明名称 | 于半导体装置中形成栅电极图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成与非(NAND)快闪存储器装置的方法，该方法包括：形成多个具有第一及第二多晶硅层的第一栅电极图案、第一与第二多晶硅层之间的介电层、及第二多晶硅层上的牺牲层，第一栅电极图案界定第一宽度的至少一个第一沟槽；形成多个具有第一及第二多晶硅层的第二栅电极图案、第一与第二多晶硅层之间的介电层、及第二多晶硅层上的牺牲层，第二栅电极图案界定第二宽度的至少一个第二沟槽；在第一及第二栅电极图案上形成第一绝缘层，该第一绝缘层填充第一沟槽且提供于第二沟槽的侧壁上；将第二绝缘层填充入第二沟槽中；移除牺牲层以形成第二多晶硅层上的多个第三沟槽；及在第三沟槽内形成金属层以形成多个栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1832134A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200610004408.1 | 申请日期 | 2006.02.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李圣勋 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于形成半导体装置的方法，该方法包含：在基板上形成栅极介电层；在该基板上形成第一导电层；在该第一导电层上形成牺牲层；图案化该栅极介电层、第一导电层及牺牲层以形成多个栅电极图案；在该栅电极图案上及其之间形成内埋绝缘层；移除该牺牲层以形成由该内埋绝缘层包围的多个沟槽；及在该沟槽内形成金属层以形成多个金属栅极结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||