| 主权项 |
1.一种半导体装置,其上安装有一背面研磨之晶片,其中半导体装置包含:一吸气层,藉由将一杂质导入到晶片之背面而获得。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,更包含在晶片的一侧表面上的一吸气层,藉由导入一杂质而形成。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该吸气层之深度实际上与一受损层之平均深度相同。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该杂质系包含氧、氩、碳、氮、硼、磷、砷、锑、或其化学化合物中之任一个。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中在该吸气层之深度处的氧浓度为11019/cm3或更高,但不超过11022/cm3。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该吸气层之内的最大之金属浓度为11016/cm3或更低。7.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:一背面研磨步骤;及一第一吸气步骤,用以在晶圆的背面之上形成一第一吸气层,而晶圆则在该背面研磨步骤之中被研磨背面;其中在第一吸气步骤之中,该第一吸气层系藉由导入一杂质到晶圆的背面之中而形成者。8.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中在第一吸气步骤之中,依下述方式形成第一吸气层:于含有杂质的环境中,在从300至900℃之范围的背面温度时,对晶圆之研磨的背面施以0.01秒之处理时间或更长、但不超过10秒的热处理。9.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法,其中该热处理为用以对晶片之背面进行雷射光照射的一处理。10.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中在该第一吸气步骤之中,依下述方式形成第一吸气层:在含有杂质的环境中,于从100至500℃之范围的背面温度时,对晶圆之研磨的背面施以0.1秒之处理时间或更长、但不超过100秒的电浆处理。11.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中该杂质系含有氧、氩、碳、氮、硼、磷、砷、锑、或其化学化合物中之任一个。12.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中该背面研磨步骤系在无输送系统、研磨刀片与用于研磨设备之研磨液的金属污染物之状态下进行研磨。13.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中该背面研磨步骤系在使用无铜之黏接剂来黏接一研磨刀片与一研磨轮之状态时的研磨处理中进行至少一最终研磨。14.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中,该背面研磨步骤系在复数之研磨处理的各研磨之前,且于清洗去除附着在一研磨表面之上的铜之后,于利用无铜之黏接剂将一研磨刀片与一研磨轮予以黏接的状态下进行之。15.一种半导体装置的制造方法,包含以下步骤:一背面研磨步骤;一切割步骤;及一第二吸气步骤,用以在一切割之晶片的背面与侧表面之上形成第二吸气层;其中在第二吸气步骤之中,藉由导入一杂质到晶片的背面与侧表面而形成第二吸气层。16.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方法,其中在该第二吸气步骤之中,依下述方式形成第二吸气层:于含有杂质的环境中,在从300至900℃之范围的背面温度时,对晶片之背面与侧表面施以0.01秒之处理时间或更长、但不超过10秒的热处理。17.如申请专利范围第16项之半导体装置的制造方法,其中使晶片的背面紧抵住一热材料而进行热处理。18.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方法,其中在该第二吸气步骤之中,依下述方式形成第二吸气层:于含有杂质的环境中,在从100至500℃之范围的背面温度时,对晶片之背面与侧表面施以0.1秒之处理时间或更长、但不超过100秒的电浆处理。19.如申请专利范围第15项之半导体装置的制造方法,其中该杂质系含有氧、氩、碳、氮、硼、磷、砷、锑、或其化学化合物中之任一个。图式简单说明:图1为习知装置之组装处理的流程图。图2为显示背面研磨之影像的图式。图3为显示研磨表面之影像的图式。图4为实施例1之组装处理的流程图。图5为显示实施例1之雷射光照射的图式。图6为显示实施例1之雷射功率与最大之背面温度的相关性之图形。图7为显示实施例1之深度与基板温度的相关性之图形。图8为显示实施例1之氧浓度的分布之图形。图9为显示实施例1之热处理之后的研磨表面之影像的图式。图10为显示实施例1之加热晶片之背面的方法之图式。图11为显示实施例1之特性劣化率的图形。图12为实施例2之组装处理的流程图。图13为显示实施例2之铜浓度的分布之图形。图14为显示实施例2之特性劣化率的图形。图15为实施例3之组装处理的流程图。图16为显示实施例3之特性劣化率的图形。 |
