| 主权项 |
1.一种半导体模组,系包括有:绝缘树脂膜、埋入于前述绝缘树脂膜之多个电路元件、以及设置于前述绝缘树脂膜的上层之阻焊层;前述多个电路元件系固着于前述绝缘树脂膜;前述阻焊层包含卡鲁特型聚合物。2.如申请专利范围第1项之半导体模组,系以下述方式构成:构成前述电路元件之一部分或全部之一个以上之构件中的任意一构件之上部的一面,与前述电路元件间之绝缘膜上部之一面,系形成同一平面;前述一个以上之构件中的任意一构件之下部的一面,与前述电路元件间之绝缘膜下部之一面,系形成同一平面。3.如申请专利范围第1项之半导体模组,其中,在前述阻焊层设置有连接前述电路元件之配线。4.如申请专利范围第2项之半导体模组,其中,在前述阻焊层设置有连接前述电路元件之配线。5.如申请专利范围第1项之半导体模组,其中,前述阻焊层之玻璃转移温度为180℃以上,220℃以下;前述阻焊层之施加有频率1MHz之交流电场时,介电损耗角正切为0.001以上,0.04以下。6.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,前述阻焊层之玻璃转移温度以下之区域的线膨胀系数为50ppm/℃以上,80ppm/℃以下。7.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,前述阻焊层之热传导率为0.10W/cm2sec以上,0.50W/cm2sec以下。8.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,前述阻焊层所设置之配线中,所包含之具有10m至100m之直径之通孔的孔深/孔径比(aspect ratio),为0.5以上,5以下。9.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,对前述阻焊层施加有频率1MHz之交流电场时的介电率为0.1以上,4.0以下。10.如申请专利范围第5项之半导体模组,其中,前述阻焊层之24小时吸水率为0.5 wt%以上,3.0wt%以下。11.一种半导体模组之制造方法,系包括:在固定了电路元件之状态下,配置绝缘树脂膜以及导电性膜之积层体,并将前述电路元件埋入于前述绝缘树脂膜内之步骤、藉由压着将前述电路元件固定于前述绝缘树脂膜内之步骤、以及在较埋入有前述电路元件之绝缘树脂膜的上层形成阻焊层之步骤;前述阻焊层包含卡鲁特型聚合物。12.如申请专利范围第11项之半导体模组制造方法,其中复包括:形成表面具备凹部之膜之步骤、以及在前述凹部内部埋入埋入材料,而在前述凹部内部形成构成前述电路元件之一部分或全部的埋入构件之步骤。13.如申请专利范围第11项之半导体模组之制造方法,其中,前述绝缘树脂膜系在材料中包含有热硬化性树脂。14.如申请专利范围第11项之半导体模组之制造方法,其中,前述绝缘树脂膜在材料中包含轧延金属。15.一种半导体装置,系包括:半导体模组及半导体元件,该半导体模组为如申请专利范围第1项之半导体模组、而该半导体元件系搭载于前述半导体模组。图式简单说明:第1图系一般性BGA之概略构成示意图第2图(a)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第2图(b)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第2图(c)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第2图(d)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第2图(e)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第3图(f)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第3图(g)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第3图(h)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第3图(i)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第3图(j)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。第3图(k)系表示本发明之实施形态之半导体模组制造步骤之剖面图。 |
