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1.一种具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其步骤包含:准备控制晶片、光电晶片等二基本零件组成初步预制构造,该初步预制构造具有光电晶片及控制晶片相连接之构造;将该初步预制构造组成基材连接构造,该基材连接构造具有初步预制构造以控制晶片之净空面与基材相连接之构造;及设置外部充填封装构造,为透明材料所构成,能透出或透入光源,设于该基材与该光电晶片之上,且覆盖该光电晶片及控制晶片;其中基材具有内部电路。2.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该基材为多层材料叠合之构造。3.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该光电晶片为发光二极体或光感测器。4.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中外部充填封装构造为高分子复合材料所构成。5.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中外部充填封装构造具有萤光粉分布于其中。6.如申请专利范围第5项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该萤光粉为黄光萤光粉或绿光萤光粉或前述两种萤光粉之混合。7.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该基材为铜箔电路板材料所构成。8.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中外部充填封装构造具有反射框设于边缘。9.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中外部充填封装构造具有表面处理。10.如申请专利范围第9项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中外部充填封装构造之表面处理为设置光栅或滤光膜。11.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该光电晶片为复数个。12.如申请专利范围第11项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该复数光电晶片且为矩阵形或图腾形。13.如申请专利范围第11项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该复数光电晶片混成光为白光。14.如申请专利范围第11项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该基材具有外接电路界面接点,设置于该基材之一侧边或是复数个预定侧边或是基材之反面且与该内部电路相连接。15.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,进一步包括一步骤设于该设置外部充填封装构造之前,将该控制晶片或该光电晶片以金属线与该基材之内部电路相连接。16.如申请专利范围第1项所示之具控制晶片之光电晶片封装构造之制造方法,其中该控制晶片或该光电晶片系以金属对金属共晶构造与该基材之内部电路相连接。图式简单说明:第一图:为习知具控制晶片之光电晶片封装构造之示意图;第二图:为本发明实施例具控制晶片之光电晶片封装构造之方法步骤示意图;第三图:为本发明实施例具控制晶片之光电晶片封装构造之示意图;第四图:为本发明又一实施例具控制晶片之光电晶片封装部分构造之示意图;第五图:为本发明再一实施例具控制晶片之光电晶片封装构造之示意图;及第六图:为本发明流程图。 |
