| 主权项 |
1.一种用于PFM控制充电泵之冲流限制电路,其包含: 一输入电压侦测电路,用以侦测经过电源端之输入 电压; 一驱动器电路,用以将电荷供应至泵电容器或输出 电容器;以及 一闸极电压控制电路,用以驱动驱动器电路, 其中,驱动器电路具有一开关电晶体,用以调整供 应至泵电容器或输出电容器之电荷的量,及 闸极电压控制电路,回应于来自输入电压侦测电路 的讯号,输出被用来使驱动器电路之开关电晶体的 闸极电压系可变的讯号。 2.如申请专利范围第1项之用于PFM控制充电泵之冲 流限制电路,其中,输入电压侦测电路包含侦测电 阻器、一基准电压及一比较器,以及 输入电压侦测电路根据一讯号来侦测输入电压,而 该讯号系比较器将经由侦测电阻器所设定之电压 値和基准电压做比较而输出的。 3.如申请专利范围第1项之用于PFM控制充电泵之冲 流限制电路,其中,在闸极电压控制电路中,n个P-通 道MOS电晶体或N-通道MOS电晶体,各自具有一汲极端 及一闸极端(互相连接)被连接至P-通道MOS电晶体或 N-通道MOS电晶体的源极端, 用于预充电电路之n个开关电晶体和n个P-通道或N- 通道MOS电晶体并联连接,而n个P-通道或N-通道MOS电 晶体各自具有一汲极端及一闸极端互相连接,以及 用于预充电电路之n个开关电晶体系以接收自输入 电压侦测电路之n个讯号来使其打开或关闭,藉以 控制驱动器电路之开关电晶体的闸极电压。 4.如申请专利范围第2项之用于PFM控制充电泵之冲 流限制电路,其中,在闸极电压控制电路中,n个P-通 道MOS电晶体或N-通道MOS电晶体,各自具有一汲极端 及一闸极端(互相连接)被连接至P-通道MOS电晶体或 N-通道MOS电晶体的源极端, 用于预充电电路之n个开关电晶体和n个P-通道或N- 通道MOS电晶体并联连接,而n个P-通道或N-通道MOS电 晶体各自具有一汲极端及一闸极端互相连接,以及 用于预充电电路之n个开关电晶体系以接收自输入 电压侦测电路之n个讯号来使其打开或关闭,藉以 控制驱动器电路之开关电晶体的闸极电压。 图式简单说明: 图1系一电路图,一部分为方块图,其显示用于依据 本发明实施例之PFM控制充电泵之冲流限制及杂讯 减少电路的组态; 图2系一电路图,一部分为方块图,其显示习知充电 泵电路的组态; 图3系一电路图,一部分为方块图,其显示用于依据 本发明另一实施例之PFM控制充电泵之冲流限制及 杂讯减少电路的组态; 图4系一电路图,其显示闸极电压控制电路之具体 例的组态;以及 图5系一电路图,一部分为方块图,其显示用于依据 本发明又一实施例之PFM控制充电泵之冲流限制及 杂讯减少电路的组态。 |
