| 主权项 |
1.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶化合物之 第二族、包含有机钛化合物之第三族及包含有机 钽化合物和有机铌化合物之第四族,将所选的化合 物混合,使之达成预先测定的组合物比率,因此制 备一反应气体,并将该反应气体与氧化性气体混合 ,以得到混合气体; 将该混合气体导入保持在400℃或以下、装有基材 之反应室中,并以电浆能量增进的化学蒸气沉积将 氧化物薄膜沉积在基材上的步骤;及 将所得的氧化物薄膜在氧化性气体气压下退火、 而转化成SrxBiy(Ta, Nb)2.0 TizOw薄膜的步骤(其中的关 系满足:0.6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d ≦1)。 2.如申请专利范围第1项之用于产生介电薄膜的方 法,其中:第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O-C 2H5)3、Bi(异-O-C3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H11) 3及Bi(THD)3(THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二 酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 3.如申请专利范围第1项之用于产生介电薄膜的方 法,其中第二族包含以式Sr(THD)2、Sr(THD)2 四glyme及Sr (Me5C2)2 2THF(其中Me代表甲基且THF代表四氢喃)表 示的有机锶化合物。 4.如申请专利范围第1项之用于产生介电薄膜的方 法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及Ti( THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 5.如申请专利范围第1项之用于产生介电薄膜的方 法,其中第四族包含以式Ta(异-OC3H7)5、Ta(异-OC3H7)4( THD)表示的有机钽化合物,及以式Nb(异-OC3H7)5及Nb(异 -OC3H7)4(THD)表示的有机铌化合物。 6.如申请专利范围第1项之用于产生介电薄膜的方 法,其中该氧化物薄膜具有的元素组合物比率Sr/(Ta +Nb)、Bi/(Ta+Nb)及Ti/(Ta+Nb)分别满足0.6≦2Sr/(Ta+Nb)≦1. 2、1.7≦2Bi/(Ta+Nb)≦2.8及≦2Ti/(Ta+Nb)≦1.0的关系。 7.如申请专利范围第1项之用于产生介电薄膜的方 法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极, 其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别 代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦ 100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 8.如申请专利范围第1项之用于产生介电薄膜的方 法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极, 包含具有以IraPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 9.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶-钽化合物 及有机锶-铌化合物之第二族和包含有机钛化合物 之第三族,混合所选的化合物,使之达成预先测定 的组合物比率,固此制备反应气体,并将该反应气 体与氧化性气体混合,以得到混合气体: 将该混合气体被导入保持在400℃或以下、装有基 材之反应室中,并以电浆能量增进的化学蒸气沉积 将氧化物薄膜沉积在基材上的步骤;及 将所得的氧化物薄膜在氧化性气体气压下退火、 而转化成SrxBiy(Ta,Nb)2.0 TizOw薄膜的步骤(其中的关 系满足:0.6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d ≦1)。 10.如申请专利范围第9项之用于产生介电薄膜的方 法,其中:第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O-C 2H5)3、Bi(异-O-C3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H11) 3及Bi(THD)3(THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二 酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 11.如申请专利范围第9项之用于产生介电薄膜的方 法,其中第二族包含以式Sr[Ta(O-C2H5)6]2及Sr[Ta(异-OC3H 7)6]2表示之有机锶-钽化合物和Sr[Nb(O-C2H5)6]2及Sr[Nb( 异-OC3H7)6]2表示之有机锶-铌化合物。 12.如申请专利范围第9项之用于产生介电薄膜的方 法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及Ti( THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 13.如申请专利范围第9项之用于产生介电薄膜的方 法,其中该氧化物薄膜具有的元素组合物比率Sr/(Ta +Nb)、Bi/(Ta+Nb)及Ti/(Ta+Nb)分别满足0.6≦2Sr/(Ta+Nb)≦1. 2、1.7≦2Bi/(Ta+Nb)≦2.8及0≦2Ti/(Ta+Nb)≦1.0的关系。 14.如申请专利范围第9项之用于产生介电薄膜的方 法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极, 其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别 代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦ 100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 15.如申请专利范围第9项之用于产生介电薄膜的方 法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极, 包含具有以IraPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 16.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶化合物之 第二族、包含有机钛化合物之第三族及包含有机 钽化合物和有机铌化合物之第四族,混合所选的化 合物,使之达成预先测定的组合物比率,因此制备 反应气体,并将该反应气体与氧化性气体混合,以 得到混合气体;及 将该混合气体被导入保持在500℃至700℃、装有基 材之反应室中的步骤,并以电浆能量增进的化学蒸 气沉积,将SrxBiy(Ta,Nb)2.0TizOw薄膜(其中的关系满足:0 .6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d≦1)沉积 在基材上。 17.如申请专利范围第16项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O -C2H5)3、Bi(异-OC3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H11 )3及Bi(THD)3 (THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二 酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 18.如申请专利范围第16项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第二族包含以式Sr(THD)2、Sr(THD)2四glyme 及Sr(Me5C5)22THF(其中Me代表甲基且THF代表四氢 喃)表示的有机锶化合物。 19.如申请专利范围第16项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及 Ti(THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 20.如申请专利范围第16项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第四族包含以式Ta(异-OC3H7)5、Ta(异-OC3H7) 4 (THD)表示的有机钽化合物,及以式Nb(异-OC3H7)5及Nb( 异-OC3H7)4(THD)表示的有机铌化合物。 21.如申请专利范围第16项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分 别代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b ≦100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 22.如申请专利范围第16项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,包含具有以IraPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraptbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 23.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶-钽化合物 及有机锶-铌化合物之第二族和包含有机钛化合物 之第三族,混合所选的化合物,使之达成预先测定 的组合物比率,固此制备反应气体,并将该反应气 体与氧化性气体混合,以得到混合气体;及 将该混合气体被导入保持在500℃至700℃、装有基 材之反应室中的步骤,并以电浆能量增进的化学蒸 气沉积,将SrxBiy(Ta,Nb)2.0TizOw薄膜(其中的关系满足:0 .6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d≦1)沉积 在基材上。 24.如申请专利范围第23项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O -C2H5)3、Bi(异-O-C3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H 11)3及Bi(THD)3(THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庆烷 二酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 25.如申请专利范围第23项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第二族包含以式Sr[Ta(O-C2H5)6]2及Sr[Ta(异- OC3H7)6]2表示之有机锶-钽化合物和Sr[Nb(O-C2H5)6]2及Sr [Nb(异-OC3H7)6]2表示之有机锶-铌化合物。 26.如申请专利范围第23项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及 Ti(THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 27.如申请专利范围第23项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分 别代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b ≦100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 28.如申请专利范围第23项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,包含具有以IraPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 29.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶化合物之 第二族、包含有机钛化合物之第三族及包含有机 钽化合物和有机铌化合物之第四族,并且溶解所选 的化合物到含有THF的有机溶剂中,做为主要组份, 使之达成预先测定的组合物,因此制备混合溶液; 蒸发该混合溶液、以产生反应气体的步骤; 将反应气体导入装有基材的反应室中的步骤,使其 保持在400℃或以下,并且以电浆能量增进的化学蒸 气沉积,将氧化物薄膜沉积在以反应气体之分解为 基础的基材上;及 将该氧化物薄膜在氧化性气体的气压下退火,而转 化成SrxBiy(Ta,Nb)2.0 TizOw薄膜的步骤(其中的关系满 足:0.6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d≦1) 。 30.如申请专利范围第29项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O -C2H5)3、Bi(异-O-C3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H 11)3及Bi(THD)3(THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷 二酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 31.如申请专利范围第29项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第二族包含以式Sr(THD)2、Sr(THD)2 四glyme 及Sr(Me5C5)2 2THF(其中Me代表甲基且THF代表四氢喃) 表示的有机锶化合物。 32.如申请专利范围第29项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及T 1(THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 33.如申请专利范围第29项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第四族包含以式Ta(异-OC3H7)5、Ta(异-OC3H7) 4 (THD)表示的有机钽化合物,及以式Nb(异-OC3H7)5及Nb( 异-OC3H7)4(THD)表示的有机铌化合物。 34.如申请专利范围第29项之用于产生介电薄膜的 方法,其中该氧化物薄膜具有的元素组合物比率Sr/ (Ta+Nb)、Bi/(Ta+Nb)及Ti/(Ta+Nb)分别满足0.6≦2Sr/(Ta+Nb) ≦1.2、1.7≦2Bi/(Ta+Nb)≦2.8及0≦2Ti/(Ta+Nb)≦1.0的关 系。 35.如申请专利范围第2项之用于产生介电薄膜的方 法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极, 其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别 代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦ 100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 36.如申请专利范围第29项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,包含具有以IraPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 37.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶-钽化合物 及有机锶-铌化合物之第二族和包含有机钛化合物 之第三族,并且溶解所选的化合物到含有THF的有机 溶剂中,做为主要组份,使之达成预先测定的组合 物,因此制备混合溶液; 蒸发该混合溶液、以产生反应气体的步骤; 将反应气体导入装有基材的反应室中的步骤,使其 保持在400℃或以下,并且以电浆能量增进的化学蒸 气沉积,将氧化物薄膜沉积在以反应气体之分解为 基础的基材上;及 将该氧化物薄膜在氧化性气体的气压下退火,而转 化成SrxBiy(Ta,Nb)2.0 TizOw薄膜的步骤(其中的关系满 足:0.6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d≦1) 。 38.如申请专利范围第37项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O -C2H5)3、Bi(异-O-C3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H 11)3及Bi(THD)3(THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷 二酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 39.如申请专利范围第37项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第二族包含以式Sr[Ta(O-C2H5)6]2及Sr[Ta(异- OC3H7)6]2表示之有机锶-钽化合物,和Sr[Nb(O-C2H5)6]2及 Sr[Nb(异-OC3H7)6]2表示之有机锶-铌化合物。 40.如申请专利范围第37项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及 Ti(THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 41.如申请专利范围第37项之用于产生介电薄膜的 方法,其中该氧化物薄膜具有的元素组合物比率Sr/ (Ta+Nb)、Bi/(Ta+Nb)及Ti/(Ta+Nb)分别满足0.6≦2Sr/(Ta+Nb) ≦1.2、1.7≦2Bi/(Ta+Nb)≦2.8及0≦2Ti/(Ta+Nb)≦1.0的关 系。 42.如申请专利范围第37项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分 别代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b ≦100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 43.如申请专利范围第37项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,包含具有以IraPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 44.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶化合物之 第二族、包含有机钛化合物之第三族及包含有机 钽化合物和有机铌化合物之第四族,并且溶解所选 的化合物到含有THF的有机溶剂中,做为主要组份, 使之达成预先到定的组合物,因此制备混合溶液; 蒸发该混合溶液、以产生反应气体的步骤; 将反应气体与氧化气体混合以获得一混合气体的 步骤;以及 将反应气体导入装有基材的反应室中的步骤,使其 保持在500℃至700℃,并且以电浆能量增进的化学蒸 气沉积,将SrxBiy(Ta,Nb)2.0TizOw薄膜(其中的关系满足:0 .6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d≦1)沉积 在基材上。 45.如申请专利范围第44项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O -C2H5)3、Bi(异-O-C3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H 11)3及Bi(THD)3(THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷 二酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 46.如申请专利范围第44项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第二族包含以式Sr(THD)2、Sr(THD)2 四glyme 及Sr(Me5C5)2 2THF(其中Me代表甲基且THF代表四氢喃) 表示的有机锶化合物。 47.如申请专利范围第44项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及 Ti(THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 48.如申请专利范围第44项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第四族包含以式Ta(异-OC3H7)5、Ta(异-OC3H7) 4 (THD)表示的有机钽化合物,及以式Nb(异-OC3H7)5及Nb( 异-OC3H7)4(THD)表示的有机铌化合物。 49.如申请专利范围第44项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分 别代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b ≦100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 50.如申请专利范围第44项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,包含具有以IrPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 51.一种用于产生介电薄膜的方法,包含: 选择至少一个有机金属化合物的步骤,是各选自包 含有机铋化合物之第一族、包含有机锶-钽化合物 及有机锶-铌化合物之第二族和包含有机钛化合物 之第三族,并且溶解所选的化合物到含有THF的有机 溶剂中,做为主要组份,使之达成预先测定的组合 物,固此制备混合溶液; 蒸发该混合溶液、以产生反应气体的步骤; 将反应气体导入装有基材的反应室中的步骤,使其 保持在500℃至700℃,并且以电浆能量增进的化学蒸 气沉积,将SrxBiy(Ta,Nb)2.0TizOw薄膜(其中的关系满足:0 .6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦z≦1.0,w=9d,且0≦d≦1)沉积 在基材上。 52.如申请专利范围第51项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第一族包含以式Bi(C6H5)3、Bi(O-C7H7)3、Bi(O -C2H5)3、Bi(异-O-C3H7)3、Bi(第三-O-C4H9)3、Bi(第三-OC5H 11)3及Bi(THD)3(THD在此后代表2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷 二酮:C11H20O2)表示的有机铋化合物。 53.如申请专利范围第51项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第二族包含以式Sr[Ta(O-C2H5)6]2及Sr[Ta(异- OC3H7)6]2表示之有机锶-钽化合物,和Sr[Nb(O-C2H5)6]2Sr[ Nb(异-OC3H7)6]2表示之有机锶-铌化合物。 54.如申请专利范围第51项之用于产生介电薄膜的 方法,其中第三族包含以式Ti(异-OC3H7)4、TiO(THD)2及 Ti(THD)2(异-OC3H7)2表示的有机钛化合物。 55.如申请专利范围第51项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,其具有以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分 别代表原子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b ≦100,0≦c≦100,且a+b+c=100的关系)。 56.如申请专利范围第51项之用于产生介电薄膜的 方法,其中在其平面上有薄膜形成的基材具有电极 ,包含具有以IraPtbRucOd式表示之组合物的氧化物电 极(其中a、b、c及d分别代表原子百分比的含量,并 且满足0≦a≦90,0≦b≦90,0≦c≦90,0≦d≦10且a+b+c+d= 100的关系);且金属电极叠在氧化物电极上,并具有 以IraPtbRuc式表示的组合物(其中a、b及c分别代表原 子百分比的含量,并且满足0≦a≦100,0≦b≦100,0≦c ≦100,且a+b+c=100的关系)。 图式简单说明: 图1是图示的剖面图,显示本发明的一个具体实施 例;及 图2是一个图示,显示以本发明生产方法产生之SrBi2 Ta2O9薄膜所组成之电容的P-V特性。 |
