| 主权项 |
1.一种在处理环境中测量基板温度的接触式测量 探针,其包括: 具有由陶瓷材料所做成之接触表面的探头,用以接 触基板;以及 具有引线的温度感应器,该引线从探头出来,并且 经过用以保护引线免受处理环境影响的屏蔽,其中 探头仅由温度感应器的引线所支持,并且屏蔽并未 碰触到探头。 2.根据申请专利范围第1项的接触式测量探针,其中 陶瓷材料乃选自以下的一群:AlN、Al2O3、BaTiO3、BeO 、BN、CaO、LaB6、MgO、MoSi2、Si3N4、SiO2、Ta2O5、TiB2 、TiN、TiO2、TiSi2、VB2、W2B3、WSi2、ZrB2、ZrO2和包括 前述至少一种陶瓷材料的组合。 3.根据申请专利范围第2项的接触式测量探针,其中 探头是单块的陶瓷材料。 4.根据申请专利范围第1项的接触式测量探针,其中 陶瓷材料的电阻率大于或等于1106ohm-cm,而热传导 度在100℃时大于或等于100W/m-K。 5.根据申请专利范围第1项的接触式测量探针,其中 陶瓷材料的电阻率大于或等于11010ohm-cm,而热传导 度在100℃时大于或等于150W/m-K。 6.根据申请专利范围第1项的接触式测量探针,其中 陶瓷材料的电阻率大于或等于11012ohm-cm,而热传导 度在100℃时大于或等于200W/m-K。 7.根据申请专利范围第1项的接触式测量探针,其中 接触表面包括AlN。 8.根据申请专利范围第1项的接触式测量探针,其中 接触表面包括BeO。 9.一种在处理环境中测量基板温度的接触式测量 探针,其包括: 包括单块陶瓷材料的探头;以及 与探头做热交流的温度感应器,其中温度感应器包 括引线,该引线经过用以保护引线免受处理环境影 响的屏蔽,其中探头仅由温度感应器的引线所支持 ,并且屏蔽并未碰触到探头。 10.根据申请专利范围第9项的接触式测量探针,其 中陶瓷材料乃选自以下的一群:AlN、Al2O3、BaTiO3、 BeO、BN、CaO、LaB6、MgO、MoSi2、Si3N4、SiO2、Ta2O5、TiB 2、TiN、TiO2、TiSi2、VB2、W2B3、WSi2、ZrB2、ZrO2和包 括前述至少一种陶瓷材料的组合。 11.根据申请专利范围第9项的接触式测量探针,其 中陶瓷材料的电阻率大于或等于1106ohm-cm,而热传 导度在100℃时大于或等于100W/m-K。 12.根据申请专利范围第9项的接触式测量探针,其 中陶瓷材料的电阻率大于或等于11010ohm-cm,而热传 导度在100℃时大于或等于200W/m-K。 13.根据申请专利范围第9项的接触式测量探针,其 中陶瓷材料的电阻率大于或等于11012ohm-cm,而热传 导度在100℃时大于或等于200W/m-K。 14.根据申请专利范围第9项的接触式测量探针,其 中陶瓷材料包括AlN。 15.根据申请专利范围第9项的接触式测量探针,其 中陶瓷材料包括BeO。 16.一种用于接触式温度探针的探头,其包括: 导电垫;以及 配置在该垫之接触表面上的陶瓷材料或聚合材料, 其中陶瓷材料是选自AlN、BeO和包括前述至少一种 陶瓷材料之组合所构成的一群,以及其中聚合材料 是选自聚醯亚胺和聚醚醚酮所构成的一群。 17.一种接触式温度探针,其包括: 包括由陶瓷或聚合材料所做成之接触表面的探头, 该材料的电阻率大于或等于1106ohm-cm,而热传导度 在100℃时大于或等于100W/m-K;以及 与探头接触的温度感应器,其具有引线,该引线经 过用以保护引线免受处理环境影响的屏蔽,其中探 头仅由温度感应器的引线所支持,并且屏蔽并未碰 触到探头。 18.根据申请专利范围第17项的接触式温度探针,其 中陶瓷材料是选自AlN、BeO和包括前述至少一种陶 瓷材料之组合所构成的一群。 19.根据申请专利范围第17项的接触式温度探针,其 中聚合材料是选自聚醯亚胺和聚醚醚酮所构成的 一群。 20.一种在包括离子来源之处理环境中消除电偏压 的接触式温度测量方法,其包括: 以探头接触具有电位的带电基板,该探头包括由陶 瓷材料或聚合材料所做成的接触表面,以及包括具 有引线的温度感应器,该引线从探头出来,并且经 过用以保护引线免受处理环境影响的屏蔽,并且其 中探头仅由温度感应器的引线所支持,而屏蔽并未 碰触到探头; 在温度感应器中产生为带电基板之温度函数的热 电压,其中热电压乃电隔绝于带电基板中的电位; 以及 将热电压转换成带电基板的温度。 21.根据申请专利范围第20项的方法,其中陶瓷材料 包括AlN。 22.根据申请专利范围第20项的方法,其中陶瓷材料 包括BeO。 23.根据申请专利范围第20项的方法,其中探头包括 单块的陶瓷材料。 24.根据申请专利范围第20项的方法,其中聚合材料 是选自聚醯亚胺和聚醚醚酮所构成的一群。 图式简单说明: 图1是接触式热电偶的侧视图。 图2是图1之接触式热电偶沿着线A-A的垂直视图。 图3是包括陶瓷接触表面之探头的剖面图。 图4是焊有引线之单块探头的立体图。 图5是焊接之探头的立体图。 图6是图解说明离子来源对温度之效应的图形。 |
