| 发明名称 |
Verfahren zur Ausbildung einer Wolframsilizidschicht |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10213287(B4) |
申请公布日期 |
2006.09.07 |
| 申请号 |
DE20021013287 |
申请日期 |
2002.03.25 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
WON, JAI-HYUNG |
| 分类号 |
H01L21/285;C23C16/42;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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