用于制造多个光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

摘要

本发明涉及一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件。在所述方法中，提供具有衬底和生长表面的芯片复合基底。在生长表面上构建具有多个窗的掩膜材料层，其中所述窗中的大多数窗具有小于或等于1μm的平均扩展。在此，这样选择掩膜材料，使得半导体层的要在稍后的方法步骤中生长的半导体材料在该掩膜材料上基本上不能够生长或者相较于生长表面能够明显更差地生长。接着，半导体层基本上同时在生长表面的位于窗内的区域上被沉积。另一方法步骤是将具有所沉积的材料的芯片复合基底分隔成半导体芯片。此外，本发明还涉及按照所述方法所制造的光电子半导体器件。

主权项

1.用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件，其中所述方法至少包括以下方法步骤：-提供芯片复合基底，所述芯片复合基底具有衬底和生长表面；-在所述生长表面上构建具有多个窗的掩膜材料层，所述窗中的大多数窗具有小于或等于1μm的平均扩展，其中这样选择掩膜材料，使得半导体层的要在稍后的方法步骤中生长的半导体材料在该掩膜材料上基本上不能够生长或者相较于生长表面能够明显更差地生长；-半导体层基本上同时在所述生长表面的位于所述窗内的区域上生长；-将具有所沉积的材料的所述芯片复合基底分隔成半导体芯片。