形成光刻用防反射膜的组合物

摘要

本发明涉及在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成防反射膜的组合物，该组合物含有具有5000或其以下重均分子量的聚合物(A)，和具有20000或其以上的重均分子量的聚合物(B)。该组合物提供在有孔和沟槽的凹凸不平的基板上的段差被覆性优异，防反射光效果高，而且不发生与抗蚀剂层的混和，可以得到优异的抗蚀剂图案，具有比抗蚀剂更大的干蚀刻速度的光刻用防反射膜。

主权项

1.一种半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成防反射膜的组合物，含有具有5000或其以下重均分子量的聚合物(A)，和具有20000或其以上重均分子量的聚合物(B)，其中聚合物(A)是具有700～5000的重均分子量的卤代双酚A型树脂，或具有600～5000的重均分子量的含有卤素的酚醛清漆树脂，其中聚合物(B)是具有20000～200000的重均分子量的聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯，或具有20000～200000的重均分子量的聚苯乙烯或其衍生物，其中以33.7～83.2重量％的比例含有聚合物(A)，并以66.3～16.8重量％的比例含有聚合物(B)，作为聚合物的含有量，相对于100重量份全形成防反射膜的组合物为0.1～50重量份。