| 发明名称 | 氮化硅膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化硅膜的制造方法，此方法适用于基底，且于基底上至少形成有一晶体管元件，而此方法包括下列步骤。首先，于晶体管元件上形成自行对准金属硅化物膜。接着，于基底上形成氮化硅膜。之后，对氮化硅膜进行热处理工艺。其中，此热处理工艺的工艺温度低于摄氏450度，且此热处理工艺是在惰性气体环境中进行。因此，藉由本发明的氮化硅膜的制造方法，能够以低热预算工艺制造出高拉伸应力的氮化硅膜，从而能够在不影响金属硅化物的热稳定性的情况下，增进晶体管元件的通道内的电子移动率。 | ||
| 申请公布号 | CN1828848A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200510051754.0 | 申请日期 | 2005.03.01 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 王湘莹;杨能辉;林焕顺 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种氮化硅膜的制造方法，适用于一基底，其中于该基底上至少形成有一晶体管元件，该方法包括下列步骤：于该晶体管元件上形成一自行对准金属硅化物膜；于该基底上形成一氮化硅膜；以及对该氮化硅膜进行一热处理工艺，其中该热处理工艺的工艺温度低于摄氏450度，且该热处理工艺是在一惰性气体环境中进行。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||