一种微细光刻图案方法

摘要

一种微细光刻图案方法，采用改进的深紫外(DUV)光刻胶和底层树脂。此方法在未使用光学改进方法的条件下可以减小光刻胶的厚度，实现光刻图案安全的高宽比，从而提高图案的分辨率和关键尺寸的均匀性、曝光宽容度和聚焦深度。由于采用底层树脂，在后续刻蚀工艺中不需要通常薄层光刻胶需要的硬掩模，而得到衬底上高分辨率的转移图案，使DUV光刻胶的应用可延伸至0.11μm及以下的技术。此方法的应用可以简化量产工艺，降低成本，提高产能。

主权项

1.一种微细光刻图案方法，包括在整个被刻蚀的衬底层表面涂敷一层底层树脂；在底层树脂层的上表面涂敷一层光刻胶；对光刻胶层进行要求图案的曝光，和曝光后烘烤；光刻胶层和底层树脂层在显影液中显影，在光刻胶和底层树脂层上形成光刻图案；光刻胶和底层树脂层作为刻蚀阻挡层进行选择性刻蚀，将图案转移到衬底上。