薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在基板上形成多条扫描配线。在基板上依序形成图案化介电层与图案化半导体层，以覆盖部分扫描配线。在基板上依序形成图案化透明导电层与图案化金属层，以定义出多条数据配线、多个源极/漏极、多个像素电极与多个刻蚀保护层。刻蚀保护层分别包覆未被图案化介电层与图案化半导体层覆盖而曝露的扫描配线，并与扫描配线电性并联。在基板上形成保护层。移除像素电极上方的保护层与像素电极的图案化金属层，以曝露出图案化透明导电层，并且同时移除刻蚀保护层与数据配线之间的扫描配线上方的图案化半导体层，以暴露出图案化介电层。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于包括：在一基板上形成多条扫描配线；在所述基板上依序形成一图案化介电层与一图案化半导体层，以覆盖部分这些扫描配线；在所述基板上依序形成一图案化透明导电层与一图案化金属层，而所述图案化透明导电层与所述图案化金属层区定义出多条数据配线、多个源极/漏极、多个像素电极与多个刻蚀保护层，其中所述刻蚀保护层分别包覆未被所述图案化介电层与所述图案化半导体层覆盖而曝露的所述扫描配线，且所述刻蚀保护层分别与所述扫描配线电性并联；在所述基板上形成一保护层；以及移除所述像素电极上方的保护层与所述像素电极的图案化金属层，以曝露出所述像素电极的图案化透明导电层，并且同时移除所述刻蚀保护层与所述数据配线之间的所述扫描配线上方的图案化半导体层，以曝露出所述扫描配线上方的图案化介电层。