制备具有低介电常数的介孔薄膜的方法

摘要

本发明公开一种制备低介电常数的介孔薄膜的方法，它包括混合环状硅氧烷类单体、有机溶剂、酸催化剂或碱催化剂和水，来制备涂覆溶液，然后将该涂覆溶液施涂在基片上并热固化。本发明的介孔薄膜显示出包括硬度和弹性模量的优异物理性能，并具有2.5或更低的低介电常数，因此，容易用于制造半导体。

主权项

1.一种制备低介电常数介孔薄膜的方法，包括：第一步，将至少一种选自由下面式1、2和3表示的单体的环状硅氧烷类单体与有机溶剂、酸催化剂或碱催化剂和水混合，以制备涂覆溶液；和第二步，施涂该涂覆溶液到基片上，并热固化施涂在该基片上的涂覆溶液，获得薄膜：式1其中R₁是氢原子，C1-C3烷基，或C6-C15芳基；R₂是氢原子，C1-C10烷基，或SiX₁X₂X₃(其中X₁、X₂和X₃各自独立地为氢原子，C1-C3烷基，C1-C10烷氧基，或卤素原子)；和p是3-8的整数；式2其中R₁是氢原子，C1-C3烷基，或C6-C15芳基；X₁、X₂和X₃各自独立地为氢原子，C1-C3烷基，C1-C10烷氧基，或卤素原子，它们中的至少一个是可水解的官能团；和m是0-10的整数；p是3-8的整数；和式3其中R₁是氢原子，C1-C3烷基，R’CO(其中R’是C1-C3烷基)，卤素原子，或SiX₁X₂X₃(其中X₁、X₂和X₃各自独立地为氢原子，C1-C3烷基，C1-C10烷氧基，或卤素原子，它们中的至少一个是可水解的官能团)；和p是3-8的整数。