发明名称 | 硅类薄膜太阳能电池 | ||
摘要 | 本发明提供一种硅类薄膜太阳能电池,该电池是,通过不使用与光电转换层的形成不同种的设备将具有比光电转换层的折射率低的层设置在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位,可以发挥充分的吸光效果,且即使设置了具有这样低的折射率的层也可以保持太阳能电池的串联电阻为小的电阻的、高效率且低成本的硅类薄膜太阳能电池。 | ||
申请公布号 | CN1826699A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
申请号 | CN200480021059.3 | 申请日期 | 2004.07.12 |
申请人 | 株式会社钟化 | 发明人 | 泽田彻;小井洋平;佐佐木敏明;吉见雅士;后藤雅博;山本宪治 |
分类号 | H01L31/075(2006.01) | 主分类号 | H01L31/075(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
主权项 | 1.一种硅类薄膜太阳能电池,其特征在于,在从光入射侧观察时位于光电转换层后方的部位依次设置导电型硅类低折射率层、硅类界面层。 | ||
地址 | 日本大阪府 |