| 发明名称 | 具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体晶片，其包括位于其表面上的厚度为3纳米至200纳米且不含小洞缺陷的半导体层，以及位于所述半导体层之下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层。本发明还涉及热处理半导体晶片的方法，该半导体晶片具有半导体层以及位于其下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层，所述热处理是在750℃至1300℃的温度范围内且在惰性或还原性气氛中进行，所述气氛至少有时含有半导体材料的气态化合物，以使半导体材料在所述半导体层的表面上沉积，其特征在于，热处理之后的所述半导体层的厚度与热处理之前的所述半导体层的厚度基本上没有差别。 | ||
| 申请公布号 | CN1825549A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200510137100.X | 申请日期 | 2005.12.23 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 迪尔克·丹茨;安德烈亚斯·许贝尔;布里安·墨非;赖因霍尔德·沃里克 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01);C30B33/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、半导体晶片，其包括位于其表面上的厚度为3纳米至200纳米且不含小洞缺陷的半导体层，以及位于所述半导体层之下且与其邻接的由电绝缘材料组成的邻接层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||