首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A PLURALITY OF CHANNELS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR100618900(B1) 申请公布日期 2006.08.25
申请号 KR20050050492 申请日期 2005.06.13
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 SUK, SUNG DAE;LEE, SUNG YOUNG;KIM, DONG WON;KIM, SUNG MIN
分类号 H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com