| 发明名称 | 铁电记录介质及其写入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。 | ||
| 申请公布号 | CN1822220A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200610001111.X | 申请日期 | 2006.01.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 高亨守;金恩植;金成栋;丁柱焕;朴弘植;朴哲民;洪承范 |
| 分类号 | G11C11/22(2006.01) | 主分类号 | G11C11/22(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;邱玲 |
| 主权项 | 1、一种铁电记录介质，包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时，所述铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在所述铁电层上，当所述各向异性导电层接收低于所述矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当所述各向异性导电层接收高于所述矫顽电压的第二电压时，其电阻增大，其中，通过所述铁电层的极化状态和所述各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||