| 发明名称 | ESD保护器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种ESD保护器件(20)，包括：N型外延集电极(21)，第一轻掺杂的深基区(221)以及延伸了预定横向尺寸的第二重掺杂的浅基区(222)。器件通过影响基区和N型外延集电极之间的纵向击穿来响应ESD现象。通过预定横向尺寸S可控制ESD响应，在一个实施例中，可以通过单个掩模步骤来确定预定的横向尺寸S。因此，致使ESD保护器件的操作相对不易受到制造工序的容许偏差或工序之间变化的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1823408A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200480009252.5 | 申请日期 | 2004.03.31 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 詹姆斯·D·惠特菲尔德 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L29/73(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 黄启行;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种ESD保护器件，其包括：第一基区(221)，第一基区具有第一导电类型并具有第一掺杂剂浓度；形成在第一基区内的第二基区(222)，第二基区具有第一导电类型、具有第二掺杂剂浓度以及具有预定的横向尺寸；以及第二导电类型并形成在第一和第二基区下面的集电极区(21)。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||