| 发明名称 | 可正确写入数据的半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 向存储单元阵列(12)内的非易失性存储单元MC1的存储区域(L2)和非易失性存储单元(MC2)的存储区域(L1)存储多个数据时，第1控制电路(200)导通开关电路(SW52)，向位线(BL2)供给规定的写入电位(VCCW)。另外，第2控制电路(300)导通开关电路(SW61)和(SW63)，根据各个存储单元存储的数据量，向位线(BL1)和(BL2)分别输出源极电位(Vg)。 | ||
| 申请公布号 | CN1271714C | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN03104318.6 | 申请日期 | 2003.01.30 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大石司 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L29/78(2006.01);G11C16/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：行方向上排列的多根字线，列方向上排列的多根位线，配置在行方向及列方向上，各自具有至少一个存储数据的存储区域的多个存储单元，以及向上述多个存储单元写入多个数据的写入电路；上述行方向上配置的上述多个存储单元串联，其栅极与其行方向上配置的字线连接，上述多根位线与上述多个存储单元对应地连接，上述多个存储单元分别根据上述存储区域中积蓄的电荷量存储3位以上的多个数据；上述写入电路包括：位线选择电路，选择与作为写入动作的对象的存储单元连接的多根位线，电位供给电路，向上述选择的多根位线供给与上述多个数据的组合对应的多个规定电位，在上述选择的多根位线中，上述电位供给电路向与作为写入动作的对象的存储单元的漏极连接的位线供给规定的第1电位，向与作为上述写入动作的对象的存储单元的源极连接的位线供给与上述多个数据的组合对应确定的第2电位。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||