| 发明名称 | 半导体器件边缘终端结构及方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施方案中，在具有第一导电类型的一半导体层内形成一个边缘终端结构。该终端结构包括一个隔离槽和一个和半导体层相接触的导电层。该半导体层是在具有第二导电类型的一片半导体基片上形成的。在一个进一步的实施方案中，该隔离槽包括多个形状，这些形状包含部分半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1822390A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200510022821.6 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 加里·H·莱厄切尔特;彼得·J·兹德贝尔;戈登·M·格里芙娜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有一个边缘区的、具有第一导电类型的半导体基片；在该半导体基片上形成的、具有第二导电类型的半导体层；在邻近该边缘区的半导体层中形成的具有第二导电类型的第一掺杂区；耦合至第一掺杂区的第一导电层；以及在邻近第一掺杂区的半导体层中形成的隔离槽。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||