发明名称 场效应晶体管器件
摘要 一种场效应晶体管器件,包括在半导体基片上的有源区域以及设置在有源区域表面上以便确定FET部分的栅极电极、源极电极和漏极电极。确定用于连接栅极的线的电极、确定用于连接源极的线的电极、以及确定用于连接漏极的线的电极设置在半导体基片上。诸电极确定了在输入端用于向FET部分提供信号的槽线和在输出端输出FET部分的信号的槽线。栅极电极具有沿着与通过输入端槽线的信号的传导方向近似垂直的方向延伸的形状。
申请公布号 CN1271724C 申请公布日期 2006.08.23
申请号 CN03107001.9 申请日期 2003.02.26
申请人 株式会社村田制作所 发明人 馬場貴博;坂本孝一;三上重幸;松崎宏泰
分类号 H01L29/772(2006.01) 主分类号 H01L29/772(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 张政权
主权项 1.一种场效应晶体管器件,包括:半导体基片;场效应晶体管部分,包括:栅极电极;源极电极;以及漏极电极,所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极设置在半导体基片上提供的有源区域的表面上,所述源极电极和所述漏极电极布置成将栅极电极夹在中间且相互间具有确定的间隔;用于确定用于连接栅极电极的线的栅极连接线电极;用于确定用于连接源极电极的线的源极连接线电极,栅极连接线电极和源极连接线电极布置成它们各自的部分相互面对着且相互间具有确定的间隔;以及用于确定用于连接漏极电极的线的漏极连接线电极,漏极连接线电极布置成其一部分面对着所述栅极连接线电极且两者之间具有间隔,并且所述栅极连接线电极、所述源极连接线电极和所述漏极连接线电极设置在半导体基片表面上,该半导体基片的表面与提供栅极电极、源极电极和漏极电极的表面共面;其特征在于,所述栅极连接线电极面对着所述源极连接线电极处的电极对部分和所述栅极连接线电极面对着所述漏极连接线电极处的电极对部分中的一个电极对部分,确定了在输入端用于向所述场效应晶体管部分输入信号的槽线,而所述栅极连接线电极面对着所述源极连接线电极处的电极对部分和所述栅极连接线电极面对着所述漏极连接线电极处的电极对部分中的另一电极对部分,确定了在输出端用于从所述场效应晶体管部分输出信号的槽线;以及所述栅极电极具有沿着与通过在输入端的槽线流动的信号的传导方向基本垂直的方向延伸的形状。
地址 日本京都府