| 发明名称 | 硅的各向异性湿式蚀刻 | ||
| 摘要 | 通过热氧化作用在硅基底的一个主表面上形成硅氧化物膜，之后，用CVD在硅氧化物膜上形成硅氮化物膜。选择性地干式蚀刻硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以形成掩模开口(22)并留下由叠层被留下的区域所组成的蚀刻掩模。通过利用蚀刻掩模用例如TMAH的碱性蚀刻剂选择性并且各向异性地蚀刻基底，以形成基底开口。通过设定硅氧化物膜的厚度与硅氮化物膜的厚度的比例为1.25或者更大，优选地是1.60或者更大，则可能避免开口内壁蚀刻形状的变形和蚀刻掩模中的裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN1271689C | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200410031450.3 | 申请日期 | 2004.02.10 |
| 申请人 | 雅马哈株式会社 | 发明人 | 青岛知保 |
| 分类号 | H01L21/308(2006.01);H01L21/306(2006.01);C23F1/32(2006.01) | 主分类号 | H01L21/308(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种湿式蚀刻方法，包括以下步骤：在一硅基底的一主表面上形成一硅氧化物膜，然后在该硅氧化物膜上形成一硅氮化物膜，所述硅氧化物膜的厚度TO和所述硅氮化物膜的厚度TN 设定为具有1.25或更大的膜厚比TO/TN；选择性地蚀刻所述硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层，以由所述叠层的剩下的区域形成一蚀刻掩模；以及采用所述蚀刻掩模，以碱性蚀刻剂选择性并各向异性地蚀刻所述硅基底。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||