| 发明名称 | 绝缘栅功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 沟槽栅半导体器件(100)具有包围多个闭合晶体管单元(TCS)的沟槽网络(STR1、ITR1)。该沟槽网络包括邻近于晶体管单元(TCS)的各侧的分段沟槽区(STR1)和邻近于晶体管单元的角的交叉沟槽区(ITR1)。如图16所示，其是沿图11的线II－II的截面图，交叉沟槽区(ITR1)每一个包括绝缘材料(21D)，其从具有比分段沟槽区(STR1)的底部处的绝缘材料(21B1)的厚度大的厚度的交叉沟槽区的底部延伸。从交叉沟槽区(ITR1)的底部延伸的较大厚度的绝缘材料(21D)对于增加器件(100)的漏源反向击穿电压是有效的。从每一个交叉沟槽区(ITR1)的底部延伸的绝缘材料(21D)可以向上延伸，以加厚在沟道调节本体区(23)的垂直范围的至少一部分上方的单元(TCS)的这些角处的绝缘材料，以便增加器件的阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1823422A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200480020074.6 | 申请日期 | 2004.07.07 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | R·J·E·休廷;E·A·希泽恩;M·A·A·恩特赞特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种垂直功率晶体管沟槽栅半导体器件(100)，具有延伸到半导体本体(10)中并包围多个闭合晶体管单元(TCS)的沟槽网络(STR1、ITR1)，其中该沟槽网络包括邻近于晶体管单元(TCS)的侧面的分段沟槽区(STR1)和邻近于晶体管单元的角的交叉沟槽区(ITR1)，其中每一个晶体管单元(TCS)具有源区(24)和漏区(12)，其通过邻近于晶体管单元每一侧处的分段沟槽区(STR1)的沟道调节本体区(23)而垂直地分开，并且其中每一个分段沟槽区包含通过分段沟槽区(STR1)的垂直侧和底部处的绝缘材料(21)而与半导体本体(10)分开的栅极材料(22)，其中交叉沟槽区(ITR1)每一个包括绝缘材料(21C、21D)，其从具有比分段沟槽区(STR1)底部处的绝缘材料(21B1)更大厚度的交叉沟槽区的底部延伸，栅极材料(22)设置在交叉沟槽区(ITR1)中的绝缘材料(21C、21D)上方，并跨接分段沟槽区(STR1)中的栅极材料(22)，其中从交叉沟槽区(ITR1)的底部延伸的较大厚度的绝缘材料(21C、21D)对于增加器件(100)的漏源反向击穿电压是有效的。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||