| 发明名称 | 制造CMOS图像传感器的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种制造图像传感器的方法，通过该方法，图像传感器的特性和产量是以防止金属垫与碱性显影溶液接触的方式来增强。本发明包括步骤：在分成有源区和垫区的半导体衬底之上依次堆叠金属层和氮化物层，通过选择性地图案化氮化物层和金属层在垫区上形成金属垫，在包括金属垫的半导体衬底之上形成保护层，通过选择性地去除保护层直至氮化物层的表面被暴露，在金属垫之上形成垫开口，在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层，在滤色器层之上形成微透镜，以及选择性地去除经由垫开口而暴露的氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1822348A | 申请公布日期 | 2006.08.23 |
| 申请号 | CN200510135165.0 | 申请日期 | 2005.12.27 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦 |
| 主权项 | 1.一种制造CMOS图像传感器的方法，包括步骤：在分成有源区和垫区的半导体衬底之上依次堆叠金属层和氮化物层；通过选择性地图案化氮化物层和金属层，在垫区上形成金属垫；在包括金属垫的半导体衬底之上形成保护层；通过选择性地去除保护层直至氮化物层的表面被暴露，在金属垫之上形成垫开口；在半导体衬底的有源区之上形成滤色器层；在滤色器层之上形成微透镜；以及选择性地去除经由垫开口而暴露的氮化物层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||