可正确写入数据的半导体存储装置

摘要

向存储单元阵列12内的非易失性存储单元MC1的存储区域L2和非易失性存储单元MC2的存储区域L1存储多个数据时，第1控制电路200导通开关电路SW52，向位线BL2供给规定的写入电位VCCW。另外，第2控制电路300导通开关电路SW61和SW63，根据各个存储单元存储的数据量，向位线BL1和BL2分别输出源极电位Vg。

主权项

1.一种半导体存储装置，包括：具有主表面的第1导电型的半导体基片，第2导电型的多个第1导电区域，以规定的间隔形成于上述半导体基片的主表面，上述第1导电型的多个第2导电区域，其形成于上述半导体基片的主表面且分别形成于上述多个第1导电区域的各个区域内，多个存储单元阵列，分别形成于上述多个第2导电区域的各个区域内；上述多个存储单元阵列分别包含多个存储单元，上述多个存储单元分别包括：在上述半导体基片的主表面上形成的第3及第4导电区域，沟道区域，其处于上述半导体基片的主表面，在上述第3导电区域和上述第4导电区域之间形成，在写入动作时产生沟道热电子，第1绝缘膜，其处于上述半导体基片的主表面，在上述沟道区域上形成，电荷存储膜，在上述第1绝缘膜上形成，具有多个存储区域，第2绝缘膜，在上述电荷存储膜上形成，导电层，在上述第2绝缘膜上形成；对上述多个第1导电区域和上述多个第2导电区域，供给规定的电位。