| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,系包括:在半导体基板上形成第1绝缘膜之步骤;在该第1绝缘膜上形成无掺杂矽膜之步骤;在该矽膜中植入P型杂质之离子植入步骤;对前述矽膜进行退火之步骤,该步骤系在前述离子植入步骤后,将前述矽膜在露出状态下,为使前述矽膜中所植入之P型杂质之外向扩散(out diffusion)在前述半导体基板内均匀分布之温度下,在氮气环境中所进行之步骤;在该矽膜上形成第2绝缘膜之步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中前述温度系750℃以下。3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法,其中前述温度系650℃以上。4.一种半导体装置之制造方法,系包括:在半导体基板上形成第1绝缘膜之步骤;在该第1绝缘膜上形成无掺杂矽膜之步骤;前述矽膜在露出状态下,于650℃以上,750℃以下之氮气环境中,对前述矽膜进行退少之步骤;在退火步骤后,对前述矽膜植入P型杂质之离子植入步骤;及在该矽膜上形成第2绝缘膜之步骤。5.一种半导体装置之制造方法,系包括:在半导体基板上形成第1绝缘膜之步骤;在该第1绝缘膜上形成无掺杂矽膜之步骤;在该矽膜中植入P型杂质之离子植入步骤;该矽膜在露出状态下,不进行退火处理,而在该矽膜上形成第2绝缘膜之步骤。6.如申请专利范围第1项、第4项、第5项其中之一之半导体装置之制造方法,其中前述矽膜系由非晶(amorphous)矽膜构成。7.如申请专利范围第1项、第4项、第5项其中之一之半导体装置之制造方法,其中前述矽膜系由多晶矽膜构成。8.如申请专利范围第1项、第4项、第5项其中之一之半导体装置之制造方法,其中前述P型杂质系二氟化硼。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中前述二氟化硼之剂量为51015/cm2以上,1.51016/cm2以下。10.如申请专利范围第1项、第4项、第5项其中之一之半导体装置之制造方法,其中于前述氮气环境中所进行之退火步骤之后,进行在氢气环境中之退火步骤。图式简单说明:第1图系说明本发明之半导体装置之制造方法之剖面图。第2图系说明本发明之半导体装置之制造方法之剖面图。第3图系说明本发明之半导体装置之制造方法之剖面图。第4图系说明本发明之半导体装置之制造方法之剖面图。第5图系说明本发明之半导体装置之制造方法之剖面图。第6图系说明本发明之半导体装置之制造方法之平面图。第7图系表示本发明之半导体装置之制造方法之实验结果之示意图。 |
